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IBM und Georgia Tech brechen den Silizium-Geschwindigkeitsrekord

Gefrorene Chips arbeiten mit 500 Milliarden Taktzyklen pro Sekunden am Rande des absoluten Temperaturnullpunkts

Armonk, NY, USA und Atlanta, GA, USA, 20. Juni 2006 -- IBM und das Georgia Institute of Technology haben heute angekündigt, daß ihre Forscher den ersten Silizium-basierten Chip vorgeführt haben, der in der Lage war, bei Frequenzen überhalb von 500 GigaHertz (GHz), das entspricht 500 Milliarden Taktzyklen pro Sekunde, zu arbeiten. Dabei wurde der Chip tiefgefroren auf 4,5 Kelvin (circa Minus 268,5 Grad Celsius), eine Temperatur nahe dem absoluten Temperaturnullpunkt. Solche extrem kalten Temperaturen herrschen in der Natur nur im Weltraum, können aber auf der Erde künstlich erzeugt werden durch ultra-tiefgekühlte Materialien wie flüssiges Helium.

Ausführlich:
http://www-5.ibm.com/de/pressroom/presseinfos/2006/06/20_1.html

ROUNDUP: IBM steigert Quartalsgewinn nach Jobabbau und Verkauf der PC-Sparte

ARMONK (dpa-AFX) - Der weltgrößte IT-Konzern IBM hat seinen Quartalsgewinn nach einem Stellenabbau und dem Verkauf des defizitären PC-Geschäfts überraschend stark gesteigert. Der Gesamtumsatz sank erwartungsgemäß, wie aus dem am Dienstagabend veröffentlichten Quartalsbericht hervorgeht. Die Software-Erlöse legten zu, während IBM in seinem Kerngeschäft Dienstleistungen etwas weniger umsetzte.

Im zweiten Quartal 2006 verdiente IBM je Aktie im fortgeführten Geschäft 1,30 Dollar - 14 Prozent mehr als ein Jahr zuvor und einen Cent mehr, als Analysten gedacht hatten. Im nachbörslichen Handel verteuerte sich die im US-Leitindex Dow Jones notierte Aktie.

Der Überschuss wuchs im fortgeführten Geschäft um 9 Prozent auf 2,02 Milliarden Dollar. Ein Jahr zuvor war er von Sondereffekten beeinflusst: Auf ihm lasteten Umbaukosten von 1,7 Milliarden Dollar. Dies glichen aber der Erlös aus dem Verkauf des PC-Geschäfts an Lenovo (1,1 Mrd USD) und eine Zahlung von 775 Millionen Dollar mehr als aus. Microsoft musste IBM das Geld zahlen, nachdem die beiden US-Unternehmen einen Rechtsstreit beigelegt hatten. Ohne Sondereffekte wäre der Überschuss im Berichtsquartal um 11 Prozent gestiegen.

IBM-CHEF ZUFRIEDEN

IBM-Chef Samuel J. Palmisano zeigte sich zufrieden. 'IBM hatte ein weiteres solides Quartal mit guten Ergebnissen je Aktie', sagte er. 'Unsere Leistung beruhte vor allem auf unserem Software-Geschäft, das 4,2 Milliarden Dollar zum Gesamtumsatz beitrug und starke Margen aufwies.' Die Software-Erlöse kletterten im zweiten Quartal gegenüber dem Vorjahr um 4,5 Prozent.

In seinem Kerngeschäft, den Dienstleistungen, verbuchte IBM dagegen einen leichten Rückgang. Mit Services setzte der Informationstechnik-Spezialist 11,89 Milliarden Dollar um und damit 0,9 Prozent weniger als ein Jahr zuvor. Diese Sparte steuerte damit etwas mehr als die Hälfte zu IBMs Gesamtumsatz bei. IBM schloss im Berichtsquartal Service-Verträge im Gesamtwert von 9,6 Milliarden Dollar ab. Der Auftragsbestand liege damit bei 109 Milliarden Dollar.

UMSATZ SANK - IM VORJAHRESWERT NOCH PC-GESCHÄFT ENTHALTEN

Die Hardware-Erlöse sackten derweil um 7,4 Prozent auf 5,15 Milliarden Dollar ab. Der Gesamtumsatz sank im zweiten Quartal um zwei Prozent auf 21,89 Milliarden Dollar. Dies hatten von Thomson Financial befragte Analysten im Schnitt erwartet. Im Umsatz des Vorjahresquartals war noch das Geschäft mit Personal Computern (PC) enthalten, das IBM im Mai vergangenen Jahres an die chinesische Lenovo veräußert hat. Rechne man die PC-Erlöse aus dem Vorjahreswert heraus, so wäre der Umsatz im Berichtsquartal um ein Prozent gestiegen.

IBM kämpft seit einigen Quartalen mit seinen Umsätzen. Der IT-Konzern musste seine Gewinne je Aktie daher über Kostensenkungen und Aktienrückkäufe steigern. Der Branchenprimus strich tausende Stellen. IBM konzentriert sich außerdem auf höherpreisige Segmente. Im zweiten Quartal 2006 kaufte die in Armonk (New York) ansässige Gesellschaft Aktien im Wert von insgesamt 2,5 Milliarden Dollar zurück. Ende Juni hatte IBM 10,0 Milliarden Dollar in bar in seiner Kasse. Der IT-Spezialist sieht sich daher 'gut aufgestellt, um Gelegenheiten auszunutzen'./sbi/sb

Quelle: dpa-AFX

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IBM Deutschland hatte letztes Jahr noch 25.000 Beschäftigte, durch sog. Abfindungsprogramme werden noch ca. 22.000 Menschen beschäftigt. Ebenso sollen für nächstes Jahr lt. Sparvorgaben der Zentrale das Urlaubsgeld gestrichen werden, auch sollen künftig zu erwerbende Pensionsansprüche niedriger ausfallen.

http://www.ibm.com

04.08.06
Molekularer Schalter für Nanospeicher

Forscher des IBM-Labors im Schweizer Rüschlikon-Forschungslabor haben einzelne Moleküle gezielt zwischen zwei verschiedenen Ladungszuständen geschaltet. Damit könnte man mit einem einzelnen Molekül bereits Daten speichern. Die Forschungsergebnisse werden heute in der Zeitschrift SMALL vorgestellt ( E. Lörtscher, J. W. Ciszek, J. Tour, und H. Riel, Reversible and Controllable Switching of a Single-Molecule Junction, Small, Volume 2, Issue 8 – 9 , pp. 973 – 977 ).

Ausführlich:
http://www.heise.de/newsticker/result.xhtml?url=/newsticker/meldung/76394&words=IBM

Zum Stand der Nanotechnologie siehe auch das Interview mit Gerd Binnig und Heinrich Rohrer auf Technology Review Online:

http://www.heise.de/tr/artikel/76325

IBM, Chartered und Samsung produzieren Mobiltechnologie für QUALCOMM

IBM Forscher entwickeln die nächste Generation von Chipkühlungstechnologien



East Fishkill, N.Y. (USA), SINGAPUR und SEOUL, Süd Korea, 26. Oktober, 2006. Die Common-Platform-Technologie- Gründungsmitglieder IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing und Samsung Electronics Co., Ltd, haben heute bekannt gegeben, dass sie für QUALCOMM Incorporated 90-Nanometer-Chips in ihren jeweiligen 300mm-Fabriken produziert haben.

In Zusammenarbeit mit QUALCOMM haben die Common Platform-Mitglieder System-on-Chip (SOC)-Produkte in Volumen-Stückzahlen herzustellen begonnen, die die mobile Telekommunikation unterstützen. Die QUALCOMM-Chips werden in Mobiltelefon-Chipsets und anderen Geräten für Wireless Communications-Aufgaben eingesetzt. Die Beziehung zwischen der Common Platform und QUALCOMM wird sich jenseits der 90-Nanometer-Technologie auch auf 65-Nanometer-Technologie und darüber hinaus erstrecken.

"Common Platform" ist ein marktveränderndes Geschäftsmodell, das gemeinsam von IBM, Chartered und Samsung entwickelt worden ist, um synchronisierte Produktion in den 300-mm-Wafer-Fabrikationsstätten mit 90-Nanometer-, 65-Nanometer- und 45-Nanometer-Technologien zu ermöglichen. Unter diesem Ansatz kann ein Design zu jeder der drei Fabrikationsstättenbetreiber hin vergeben werden. Damit wird es möglich, nahezu identische Chips von einer ganzen Reihe von Fertigungsstätten rund um den Globus zu erhalten. Da die Common-Platform-Technologie Multi-Sourcing erlaubt, sind Kunden nicht an einen einzigen Anbieter gebunden, sondern haben eine höhere Flexibilität und Herstellerauswahl.

Die Common Platform stellt ein Bekenntnis zu gemeinschaftlicher Innovation und zu Offenheit dar. Sie gewinnt mittlerweile Momentum in der Halbleiterindustrie. Im Kern signalisiert die Initiative, dass IBM, Chartered und Samsung ihre Fertigungseinrichtungen so organisiert haben, dass eine gemeinsame Team-Umgebung für maximierten Kundenvorteil entstehen kann.

In weiteren Nachrichten hat ARM heute angekündigt, dass es von der Common Platform ausgewählt worden ist, Libraries für die 45-Nanometer-Prozesstechnologie bereitzustellen. Libraries sind die Bausteine, die Kunden dabei helfen, moderne Halbleiter-Technologieprodukte zu entwickeln und zu fertigen.

B-Roll-Video-Material sowie Foto verfügbar unter: http://www-03.ibm.com/press/us/en/photo/20512.wss

Quelle: http://www.ibm.com

http://www.charteredsemi.com/

http://www.samsung.com/

http://www.arm.com

Aktuelles

DARPA wählt IBM für Supercomputing-Entwicklungsprojekt

244-Millionen-Dollar-Programm unterstützt die Erfüllung der DARPA-Aufgaben im High Productivity Computing Systems (HPCS)-Programm



Die US Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) hat IBM einen mit 244 Millionen Dollar dotieren Vierjahres-Auftrag erteilt, um eine Maschine zu entwickeln, die einhundertmal mehr Leistung erbringen soll als heute übliche Supercomputer. Der Rechner soll dabei deutlich einfacher zu programmieren, zu verwalten und zu benutzen sein.

IBM erwartet, dass das Projekt die Vereinigten Staaten in die Fähigkeit versetzen kann, eine langfristige technische Führerschaft zu erreichen und gleichzeitig Supercomputing einer breiteren Zielgruppe in Wissenschaft und Wirtschaft näherbringt.

>>>>http://www.ibm.com/news/de/de/2006/11/231.html

AMD und IBM erläutern frühe Ergebnisse zur Verwendung von Immersion und Ultra-low-k in 45-nm-Chips

Fortschrittliche Technologien sorgen für höhere Leistung und Effizienz bei gleichzeitig verringerter Komplexität in Entwicklung und Fertigung von Mikroprozessoren

SAN FRANCISCO--(BUSINESS WIRE)--Beim International Electron Device Meeting (IEDM) präsentierten IBM (NYSE: IBM) und AMD (NYSE: AMD) heute Papiere, die die Verwendung von Immersionslithografie, von Ultra-low-k-Zwischendielektrika (Interconnect Dielectircs) und von Techniken der mehrfachen erhöhten Dehnung bei Transistoren (multiple enhanced Transistor Strain) zur Anwendung in der 45-nm-Mikroprozessor-Prozessgeneration beschreiben. AMD und IBM erwarten, dass die ersten 45-nm-Produkte, die Immersionslithografie und Ultra-low-k-Zwischendielektrika benutzen, Mitte 2008 verfügbar sind.

„Als erste Mikroprozessorhersteller, die die Nutzung von Immersionslithografie und Ultra-low-k-Zwischendielektrika für die Generation der 45-nm-Technologie ankündigen, sind AMD und IBM weiterhin Wegbereiter der Innovation in der Mikroprozessor-Prozesstechnologie“, erklärte Nick Kepler, Vizepräsident des Bereichs „Logic Technology Development“ bei AMD. „Durch die Immersionslithografie können wir erhöhte Mikroprozessor-Konstruktionsdefinition und Fertigungskonsistenz bieten. Damit erweitern wir unsere Fähigkeiten, unseren Kunden in der Industrie führende, hoch entwickelte Produkte zu liefern. Mit den Ultra-low-k-Zwischendielektrika werden wir das Leistung-pro-Watt-Verhältnis, mit dem unsere Mikroprozessoren in der Industrie führend sind, zum Nutzen all unserer Kunden weiter verbessern. Diese Ankündigung ist ein erneuter Beweis für die erfolgreiche Zusammenarbeit von IBM und AMD in Forschung und Entwicklung.“

In der gegenwärtigen Prozesstechnologie wird herkömmliche Lithografie eingesetzt, die beim Definieren von Mikroprozessordesigns jenseits der 65-nm-Prozesstechnologie-Generation erhebliche Einschränkungen zeigt. Die Immersionslithografie verwendet eine transparente Flüssigkeit, um den Raum zwischen den Projektionslinsen des Step-and-Repeat-Lithografiesystems und dem Wafer zu füllen, der Hunderte von Mikroprozessoren enthält. Dieser deutliche Fortschritt in der Lithografie sorgt für größere Tiefenschärfe und verbesserte Bildtreue, welche die Leistung auf Chipebene und die Fertigungseffizienz steigern kann. Dieses Immersionsverfahren verschafft AMD und IBM Fertigungsvorteile gegenüber den Wettbewerbern, die keinen serienfähigen Immersionslithografie-Prozess für die Einführung von 45-nm-Mikroprozessoren entwickeln können. Bedingt durch die erweiterten Prozessfähigkeiten zeigt beispielsweise die Leistung einer SRAM-Zelle Verbesserungen von ungefähr 15 Prozent, ohne dass dazu auf aufwendigere Doppelbelichtungsverfahren zurückgegriffen werden muss.

Darüber hinaus ist die Verwendung von Ultra-low-k-Dielektrika zur Reduzierung von Zwischenkapazität und Leitungsverzögerung ein kritischer Schritt bei der weiteren Steigerung der Mikroprozessorleistung sowie bei der Senkung der Verlustleistung. Ermöglicht wird dieser Vorteil durch die Entwicklung einer in der Industrie führenden Ultra-low-k- Prozessintegration, die die Dielektrizitätskonstante des Zwischendielektrikums unter Beibehaltung der mechanischen Festigkeit verringert. Die Ergänzung durch Ultra-low-k-Zwischenmaterial sorgt verglichen mit herkömmlichen Low-k-Dielektrika für eine 15-prozentige Verringerung der leitungsbedingten Verzögerung.

„Die Einführung der Immersionslithografie und der Ultra-low-k-Zwischendielektrika bei 45 nm ist ein frühes Beispiel für den erfolgreichen Technologietransfer von unserer bahnbrechenden Forschungstätigkeit am Albany Nanotech Center zum modernen 300-mm-Fertigungs- und Entwicklungsbereich von IBM in East Fishkill (New York, USA) sowie zur modernen 300-mm-Fertigungsstraße von AMD in Dresden“, erläutert Gary Patton, Vizepräsident für Technology Development am Semiconductor Research and Development Center von IBM. „Die erfolgreiche Integration führender Technologien mit AMD und unseren Partnern zeigt die Stärke unseres Modells der Innovation in Zusammenarbeit.“

Die ständige Verbesserung der Transistor-Strain-Techniken von AMD und IBM hat die kontinuierliche Skalierung der Transistorleistung ermöglicht, wobei die industrieweit vorhandenen, geometriebedingten Skalierungsprobleme im Zusammenhang mit dem Übergang auf 45-nm-Prozesstechnologien überwunden wurden. Trotz der höheren Packungsdichte von Transistoren der 45-nm-Generation haben IBM und AMD einen 80-prozentigen Zuwachs des p-Kanal-Transistortreiberstromes und einen 24-prozentigen Zuwachs des n-Kanal-Transistortreiberstromes verglichen mit ungedehnten Transistoren demonstriert. Dieses Ergebnis führt zur höchsten CMOS-Leistung, von der bis jetzt in der 45-nm-Technologie berichtet wurde.

IBM und AMD arbeiten seit Januar 2003 gemeinsam an der Entwicklung von Halbleiterfertigungs-Technologien der nächsten Generation. Im November 2005 gaben die beiden Unternehmen eine Verlängerung ihrer gemeinsamen Entwicklungsanstrengungen bis 2011 bekannt, wodurch die 32-nm- und 22-nm-Prozesstechnologie-Generationen abgedeckt werden sollen.

Über AMD

Advanced Micro Devices (NYSE: AMD) ist ein führender, weltweit aktiver Hersteller von innovativen Mikroprozessorlösungen für den EDV-, Kommunikations- und Unterhaltungselektronikmarkt. Das im Jahr 1969 gegründete Unternehmen AMD hat sich auf die Bereitstellung von hoch entwickelten Rechnerlösungen auf der Grundlage der Verbraucheranforderungen spezialisiert. Ausführlichere Informationen finden Sie unter www.amd.com.

Über IBM

Die IBM-Halbleitertechnologien leisten einen wichtigen Beitrag zur Stellung des Unternehmens als der Welt größtes Informationstechnologie-Unternehmen. Chiperzeugnisse und Lösungen des Unternehmens kommen in den eServer- und TotalStorage-Systemen von IBM ebenso zum Einsatz wie in vielen der bekanntesten Elektronikmarken der Welt. Zu den IBM-Innovationen im Halbleitersektor zählen Dual-Core-Mikroprozessoren, Kupferleitungstechnologie, Silicium-auf-Isolator- und Silicium-Germanium-Transistoren, gedehntes Silicium und eFUSE, eine Technologie, mit der Computerchips automatisch auf sich ändernde Bedingungen reagieren können. Weitere Informationen finden Sie unter http://www.ibm.com/chips.

AMD, das AMD-Pfeillogo und Kombinationen hiervon sind Warenzeichen von Advanced Micro Devices Inc. Andere Namen sind lediglich zu Informationszwecken aufgeführt und können Warenzeichen ihrer jeweiligen Eigentümer sein.
Kontakte

AMD
Jon Carvill, +1 (512) 602-0499 (PR)
jon.carvill@amd.com
oder
Mike Haase, +1-408-749-3124 (IR)
oder
IBM
Glen Brandow, +1-914-766-4615 (PR)
brandow@us.ibm.com

IBM Forschungsdurchbruch eröffnet der Magnetresonanzbildtechnik MRI den Nanobereich
Signifikanter Fortschritt bei der Bilddarstellung molekularer Strukturen

>>>>http://www.chemie.de/news/d/63925/

IBM will bereits im nächsten Jahr einen dreidimensionalen Chip auf den Markt bringen, der verschiedene Halbleiter dichter zusammenpacken soll.

Möglich macht das eine Technologie namens 'Through-Silicon Vias' oder kurz TSV. Dadurch könnten etwa Chips in einem Handy übereinander gestapelt und direkt verbunden werden, statt sie in einer zweidimensionalen Anordnung über Kabel oder Leiterbahnen zusammenzuschließen.

>>>>http://www.silicon.de/enid/client_server_host/26573

http://www.research.ibm.com/?ca=ibm_de&me=w&met=de_hp_rightnav

Fortschritte sollen auf dem Weg zu Chips aus Nanoröhren helfen

Forschern von IBM ist es gelungen, die Verteilung elektrischer Ladungen in Kohlenstoff-Nanoröhren zu messen, was helfen soll, das elektrische Verhalten der Nanoröhren besser zu verstehen. Damit will IBM dem Einsatz von Kohlenstoff-Nanoröhren als Leiter und Halbleiter in Computerchips näher kommen.

>>>>http://www.golem.de/0710/55376.html

26.02.
IBM setzt DNA bei der Chipentwicklung ein
Neues Verfahren ermöglicht kleinere Chips

Wissenschaftler im IBM Almaden Research Center im kalifornischen San Jose testen bei der Entwicklung neuer Computerchips den Einsatz künstlicher DNA. Ziel der Forscher um die Biochemikerin Jennifer Cha und den Chemiker und Materialexperten Greg Wallraff, ist es, neue Verfahren zur Chipherstellung zu entwickeln.

>>>>http://www.golem.de/0802/57975.html

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Desweiteren hat IBM mit dem KACST in Saudi-Arabien eine Vereinbarung zum Bau eines Nanotechnologie-Zentrums abgeschlossen. Ziel ist die Forschung und Entwicklung in den Bereichen alternativer Energien, Wasseraufbereitung und Materialwissenschaft.

http://www.tradearabia.com/news/newsdetails.asp?Sn=EDU&artid=139325

IBM-Forschungslabor Zürich (ZRL) und ETH Zürich: Strategische Partnerschaft in Nanotechnologie

Die beiden Partnerinstitutionen werden ein gemeinsames Nanotech-Labor betreiben, das in Rüschlikon gebaut wird. Der Hightech-Neubau umfasst mehr als 900 m2 Reinraum und kostet rund 90 Mio. Franken.
Die beiden Institutionen verbindet eine langjährige Tradition wissenschaftlicher Zusammenarbeit, die nun durch die strategische Partnerschaft im Bereich Nanotechnologie eine neue Qualität erhält. An einer gemeinsamen Medienkonferenz in Zürich kündigten Ralph Eichler, Präsident der ETH Zürich, und John E. Kelly, Senior Vice-President und Direktor für Forschung bei IBM, die geplante Zusammenarbeit an. Zentrales Element dieser Zusammenarbeit ist ein neues Gebäude mit Einrichtungen auf dem neuesten Stand der Technik, das auf dem Gelände des ZRL in Rüschlikon gebaut wird. Im Frühjahr 2009 soll der Grundstein zum Neubau gelegt werden; die Forschungsaktivitäten sollen 2011 aufgenommen werden.

"Dieses Nanotech-Lab wird ein grosser Gewinn nicht nur für die beteiligten Institute, sondern auch für die Schweizer Industrie insgesamt sein", sagte Professor Ralph Eichler, "denn wir sind offen für Zusammenarbeit mit Schweizer Unternehmen und Forschungsinstituten". Durch die Einbindung der Eidgenössischen Materialprüfungs- und Forschungsanstalt (EMPA) steht ein erster externer Partner bereit. Die Zusammenarbeit bietet auch die Chance, dass neue Produktionstechnologien entstehen können. Davon wird der Werkplatz Schweiz mit seinen zahlreichen KMUs profitieren. Das Nanotech-Lab ermöglicht Weltklasse-Forschung, aber auch die Partnerschaft selbst ist innovativ. "Damit erweitert IBM ein Forschungsprogramm, das zum Ziel hat, unser Wissen über Nanotechnologie und deren vielfältige Anwendungsmöglichkeiten beschleunigt voranzutreiben", sagt John E. Kelly. "Wir sehen dieses Modell mit der ETH Zürich durchaus als ein Modell für zukünftige Partnerschaften zwischen Industrie und Hochschulen."

Forschungsschwerpunkte der beiden Institutionen reichen von Projekten zur Grundlagenforschung bis hin zu angewandter Forschung. Verschiedene Bereiche für gemeinsame Forschung wurden festgelegt, u.a. kohlestoffbasierte Materialien, Nano-Photonics, Spintronics, Nanodrähte und Tribologie. Das gemeinsame Nanotech-Lab umfasst mehr als 900m2 Reinraum-Fläche und ist in drei Teile aufgegliedert: neben den jeweils eigenen Bereichen haben die beiden Partner auch einen gemeinsamen Sektor. Der Neubau hat ein Investitionsvolumen von 90 Mio. Franken, wovon 30 Mio. für die technische Infrastruktur anfallen. Diese Infrastrukturkosten und die entstehenden Betriebskosten teilen sich die Partner; IBM übernimmt zusätzlich die Gebäudekosten. Die ETH Zürich wird die Räumlichkeiten mieten. Die strategische Partnerschaft ist auf mindestens zehn Jahre angelegt. Ausserhalb der gemeinsamen Forschungsaktivitäten steht es jeder Partnerinstitution frei, eigene Projekte zu verfolgen.

Für die ETH Zürich bedeutet das neue Nanotech-Lab auf dem IBM-Gelände in Rüschlikon eine ideale Ergänzung zu den bereits existierenden Forschungsanlagen an den Standorten Hönggerberg/Science City bzw. im Zentrum Zürichs. Die neue Infrastruktur ist darüber hinaus eine einmalige Gelegenheit für ETH-Studierende, ihre Forschungen in enger Zusammenarbeit mit einem industriellen Partner durchzuführen; dies ist ein grosses Plus der Ingenieur-Ausbildung an der ETH Zürich.

Nanotechnologie stellt eine neue Technologie dar, die Funktionen in einem ausseror-dentlich kleinen Massstab anwendet. Sie konzentriert sich auf Strukturen und Prozesse in Dimensionen unter 100 Nanometer - ungefähr 400mal dünner als ein menschliches Haar. Im Grössenbereich der Nanometer spielen sich viele grundsätzliche Prozesse der Biologie, Chemie und Physik ab, die in bislang ungekanntem Mass kontrolliert werden können und neue Perspektiven in vielen Bereichen eröffnen. Dazu gehören hochentwickelte funktionale Materialien, Nanoelektronik, Informations- und Kommunikationstechnologie, Sensorik, Life Sciences sowie Energietechnologie. Nanotech-Anwendungen könnten beitragen zur effizienteren Nutzung von Solarenergie oder zu neuen Arten der Wasseraufbereitung.

Durch die Forschung an der ETH Zürich und am IBM-Forschungslabor in Rüschlikon sind von Zürich immer wieder entscheidende Impulse in der Quantenmechanik und Nanoforschung ausgegangen. Zu erwähnen sind die bahnbrechenden Konzepte der Quantenmechanik durch den ETH-Physiker und Nobelpreisträger Wolfgang Pauli oder die Entwicklung des Rastertunnelmikroskops durch Gerhard Binning und Heinrich Rohrer am IBM-Forschungslabor Zürich, wofür sie 1986 mit dem Nobelpreis für Physik ausgezeichnet wurden. Dieses Gerät ermöglichte den ersten Blick in die Welt der Atome. Kurz darauf wurde es möglich, einzelne Atome zu manipulieren, wodurch die Tür zur Nanotechnologie weit aufgestossen wurde. Gleichwohl gibt es noch ein grosses Potential, das es auszuschöpfen gilt. Mit ihrem neuen Nanotech-Lab sind die ETH Zürich und das ZRL auf dem Weg, die Nanotechnologie auf die nächst höhere Stufe zu heben.

Kontakt:
Roman Klingler
ETH Zürich
Tel: +41 44 632 40 39
E-Mail: roman.klingler@cc.ethz.ch

Dr. Karin Vey
IBM Zürich Research Lab
Tel: +41 44 724 84 43
E-Mail: vey@zurich.ibm.com

Quelle: Eidgenössische Technische Hochschule Zürich (ETH Zürich)

Bildmaterial:
http://www.cc.ethz.ch/media/picturelibrary/news/nanotechlab

Quelle: http://www.internationale-kooperation.de

IBM entwickelt weltweit kleinste SRAM-Speicherzelle

Wichtiger Durchbruch in der Halbleiterforschung für Forschungsgruppe um IBM



Yorktown Heights, USA/Stuttgart, 19. August 2008: IBM (NYSE: IBM) hat mit den gemeinsamen Entwicklungspartnern AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba und dem College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) das erste funktionsfähige SRAM (Static Random Access Memory) für die 22 Nanometer-Chiptechnologiegeneration vorgestellt. Die SRAM-Speicherzelle wurde in der IBM 300mm-Wafer-Forschungseinrichtung in Albany, New York, entwickelt.

SRAM-Chips bilden die Vorstufe von komplexeren Einheiten wie Mikroprozessoren. Die SRAM-Cell basiert dabei auf einem konventionellen 6-Transistor-Design und hat eine Fläche von 0.1 Quadratmikrometern. Damit unterschreitet die Cell alle bisherigen SRAM-Grössengrenzen. Der Forschungsdurchbruch wurde am CNSE der Universität von Albany, State University von New York, erreicht. Die CNSE Albany NanoTech ist im Universitätsumfeld einer der weltweit erfahrensten Nanotechnologie-Forschungskomplexe. IBM und Partner vollziehen einen beträchtlichen Teil ihrer Halbleiterforschung beim CNSE. Ein Nanometer entspricht einem Milliardstel Meter oder einem achtzigtausendstel der Breite eines Haares.

Die 22-nm-Größenordnung wird voraussichtlich erst in zwei Chip-Generationen fallen. IBM arbeitet zusammen mit seinen Partnern gerade an der Entwicklung der 32-nm- High-K-Metal-Gate-Technologie.

Normalerweise wird die Verkleinerung eines SRAM-Chips durch die Verkleinerung der zentralen Baueinheit erreicht, die oft auch als Zelle bezeichnet wird. Forscher der Gruppe um die IBM Allianz haben das SRAM-Zellen-Design und das umgebende Schaltkreis-Layout optimiert, um die Stabilität zu verbessern. Zusätzlich haben sie verschiedene neue Herstellungsprozesse entwickelt, die den Weg für die neue SRAM-Zelle ebnen sollen. Die Forscher haben dabei High-NA-Immersionslithographie verwendet, um die Pattern-Dimensionen und -Dichten zu übertragen und die Einzelteile dann in der 300mm-Halbleiter-Forschungsumgebung fabriziert.

Die Größe einer SRAM-Zelle bildet einen wichtigen Maßstab in der Halbleiterindustrie und die aktuelle Forschungsarbeit zeigt, dass IBM und seine Forschungspartner im Bereich der Entwicklung von neuer Prozesstechnologie weiter an der Spitze liegen.

Zu den verwendeten Technologien in der SRAM-Zelle zählen High-K-Metal-Gate-Stacks, Transistoren mit weniger als 25 nm an Gatelänge, dünne Abstandshalter, neuartige Co-Implantate, verbesserte Aktivierungstechniken, sehr dünne Silizide und speziell bearbeitete Kupferkontakte.

Zusätzliche Details zu dieser neuen Entwicklung werden vom 15. bis zum 17. Dezember 2008 im Rahmen des jährlichen IEEE International Electron Devices (IEDM) Meetings in San Francisco, USA, vorgestellt werden. Weitere Informationen unter http://www.ibm.com und in der original Presseinformation anbei.

Contact(s) information
Michael Loughran
IBM Media Relations
Office: 914-945-1613
E-Mail: mloughra@us.ibm.com

Hans-Juergen Rehm
IBM Kommunikation/Communications
E-Mail: hansrehm@de.ibm.com
Tel: +49-711-785-4148
Mob: +49-171- 55 66 940
Fax: +49-711-785-1078

Quelle: IBM

s. auch:
http://www.myresearch.de/board.php?company=638&btype=7&cmd=show&partner_id=8

IBM-Forscher haben bei der Nanotechnologie einen Durchbruch vermeldet. Dieser kann dazu führen, dass neue Prozessorgenerationen und Photoniksysteme möglicherweise schneller auf den Markt kommen. Das beschrieben sie jetzt in dem Fachmagazin Nature Nanotechnology.

>>>>http://www.silicon.de/hardware/server-desktops/0,39038998,39195327,00/ibm+lenkt+lichtwellen+im+nanobereich+fuer+neue+chips.htm